项目简介
1.详情
随着5G,大数据,人工智能,云计算,高清视频的普及,人们对带宽的诉求已远大于计算,且成指数形式增加。在目前的各种高速通信场景中,光纤通信为各种高带宽场景提供了高速率基础设施。其中,光纤通信芯片则决定了网络的传输速率,为其关键所在。
本项目立足于开发用于接入网的光纤通信芯片,面向千兆入户的亿级应用场景。目前已完成第一版芯片流片验证,实现了Class C+产品级性能。第二版Class D产品级芯片正在研发中,预计2021年秋流片。
2.特点
1.本项目通过采用廉价CMOS工艺,芯片制造成本较现有SiGe产品降低一个数量级。同时,CMOS流片周期为2个月,较SiGe流片时间(6个月)缩短3倍,极大加速产品研发及迭代时间。目前市场已有产品均基于SiGe工艺,不但成本高、制造周期长,而且国内无高速SiGe芯片代工厂。业界有公司尝试采用CMOS 进行此类产品设计,目前均未有成功报道。
2.基于课题组10余年的研发积累和深度产学研合作,通过独有的芯片设计技术和努力,首次在CMOS平台突破了低噪声、快速突发相响应、大动态突发输入范围、低功耗等技术难关,芯片整体性能较同类产品有明显优势。测试结果表明,芯片实现了10G PON Class C+级性能。
3.市场情况
随着光纤接入网等快速发展,千兆入户已开始大规模商用。今年工信部印发的《“双千兆”络协同发展动规划2021-2023年》,进一步加速了10G PON网络的快速部署,中国电信等运营商已开始进行海量采购。2021年一季度,市场同比增长400%。预计未来10年,市场将持续高速增长。根据测算,我国每年OLT PON 端口增量约500万/年,ONU PON 端口增量约2000万/年,按100元/套片计算,PON芯片每年市场规模在25亿元人民币。
4.技术成熟度:原理样机
5.合作方式:面议
6.负责人:李丹